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参数资料
| 型号： | IDT70V26S35J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V26S35J8 |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V26X25
Com'l
& Ind
70V26X35
Com'l Only
70V26X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
100
100
100
170
140
200
90
90
____
140
120
____
90
90
____
140
120
____
mA
mA
L
100
185
____
____
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
14
12
14
30
24
60
12
10
____
30
24
____
12
10
____
30
24
____
mA
mA
L
12
50
____
____
____
____
I SB2
I SB3
I SB4
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
95
85
130
105
6
3
6
3
90
80
125
90
45
45
____
____
1.0
0.2
____
____
55
55
____
____
87
75
____
____
6
3
____
____
85
74
____
____
45
45
____
____
1.0
0.2
____
____
55
55
____
____
87
75
____
____
6
3
____
____
85
74
____
____
mA
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
2945 tbl 09
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 80mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC, and using “AC Test Conditions” of input levels of
GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
AC Test Conditions
3.3V
3.3V
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
DATA OUT
BUSY
590 ?
DATA OUT
590 ?
Output Reference Levels
1.5V
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
Output Load
Figures 1 and 2
2945 tbl 10
2945 drw 04
Figure 1. AC Output Test Load
2945 drw 05
Figure 2. Output Test Load
,
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* Including scope and jig.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26S25J8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC |
| 046288012000846+ | CONN FFC/FPC 12POS .5MM R/A SMD |
| 006200510130000+ | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
| IDT7026S55JI8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT7026S35J8 | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V26S55G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V26S55J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V27L15BF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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