参数资料
型号: IDT70V26S55J8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 12/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC
标准包装: 200
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 84-PLCC(29.21x29.21)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V26S55J8
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
t WB
Industrial and Commercial Temperature Ranges
BUSY "B"
t WH
(1)
R/ W "B"
(2)
2945 drw 13
,
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
2945 drw 14
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match Timing (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESS "N"
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
2945 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
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6.42
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