- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4026 > IDT70V26S55J8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V26S55J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V26S55J8 |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Truth Table I — Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/ W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I/O 8-15
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
I/O 0-7
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected: Power-Down
Both Bytes Deselected: Power-Down
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTE:
1. A 0L — A 13L ≠ A 0R — A 13R
Truth Table II — Semaphore Read/Write Control (1)
2945 tbl 02
Inputs (1)
Outputs
CE
H
X
H
X
L
L
R/ W
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I/O 8-15
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
____
____
I/O 0-7
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
____
____
Mode
Read Data in Semaphore Flag
Read Data in Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Not Allowed
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to via I/O 0 and read from all I/O's (I/O 0 -I/O 15 ). These eight semaphores are addressed by A 0 -A 2 .
6.42
2945 tbl 03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026S55J8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT70261S25PFI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70261S15PF8 | IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT7007S15PF8 | IC SRAM 256KBIT 15NS 80TQFP |
| IDT70V25L25J | IC SRAM 128KBIT 25NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V27L15BF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V27L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。