参数资料
型号: IDT70V27L35PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 20/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 512K (32K x 16)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
产品目录页面: 1254 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 70V27L35PFI
800-1392
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Commercial and Industrial Temperature Range
XXXXX
Device
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
A
Type
Temperature
Range
Blank
8
Blank
I (1)
G (2)
BF
PF
15
20
Tube or Tray
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
144-pin fpBGA (BF144-1)
100-pin TQFP (PN100-1)
Commercial Only
Commercial & Industrial
25
Commercial Only
Speed in nanoseconds
35
55
S
L
70V27
Commercial & Industrial
Commercial Only
Standard Power
Low Power
512K (32K x 16) 3.3V Dual-Port RAM
3603drw19
NOTES:
1. Industrial temperature range is available on selected TQFP packages in low power.
For other speeds, packages and powers contact your sales office.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
12/03/98:
Initiated Document History
Converted to new format
Typographical and cosmetic changes
Added fpBGA information
Added 15ns and 20ns speed grades
Updated DC Electrical Characteristics
Added additional notes to pin configurations
04/02/99:
08/01/99:
Page 5
Page 3
Fixed typo in Table III
Changed package body height from 1.1mm to 1.4mm
08/30/99:
04/25/00:
Page 1 Changed 660mW to 660 μ W
Replaced IDT logo
Page 2 Made pin correction
Changed ±200mV to 0mV in notes
Datasheet Document History continued on page 21
20
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PDF描述
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参数描述
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IDT70V27L55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V27L55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V27S15BF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V27S15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8