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参数资料
| 型号： | IDT70V28L20PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V28L20PFGI IDT70V28L20PFGI-ND |
IDT70V28L
High-Speed 3.3V 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1,3)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
4849 drw 13
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
ADDRESS "N"
t APS (2)
MATCHING ADDRESS "N"
BUSY "B"
t BAA
t BDA
,
4849 drw 14
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
3. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70V28L15
Com'l Only
70V28L20
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
15
15
0
0
____
____
____
____
20
20
ns
ns
ns
ns
4849 tbl 15
12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3319S166PRFG | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
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| IDT70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V28L20PFI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70V28L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3319S133BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3319S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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