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参数资料
| 型号： | IDT70V3579S5DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3579S5DRI |
Features:
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3579S
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
◆
◆
◆
◆
◆
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball Grid
Array
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/ W L
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
R/ W R
B
W
B
W
B B
W W
B
W
B B
W W
B
W
CE 0L
0
L
1
L
2 3
L L
3
R
2 1
R R
0
R
CE 0R
CE 1L
OE L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
CE 1R
OE R
32K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O 0L - I/O 35L
CLK L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 35R
CLK R
,
A 14L
A 0L
CNTRST L
ADS L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 14R
A 0R
CNTRST R
ADS R
CNTEN L
?2008 Integrated Device Technology, Inc.
1
CNTEN R
4830 tbl 01
OCTOBER 2008
DSC 4830/16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3599S133DRI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| IDT70V37L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V38L15PFG | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V525ML55BZI | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| IDT70V5388S166BGI | IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3579S6BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3579S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3579S6BCI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BCI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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