- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V3579S5DRI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V3579S5DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3579S5DRI |
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
Power
99
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BF
DR
BC
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
208-pin fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-pin BGA (BC-256)
4
5
6
S
(133MHz) Commercial Only
(100MHz) Commercial & Industrial
(83MHz) Commercial Only
Standard Power
Speed in
nanoseconds
70V3579 1Mbit (32K x 36-Bit) 3.3V Synchronous Dual-Port RAM
4830 drw 15
NOTE:
1 . Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
12/9/98:
3/12/99:
4/28/99:
6/8/99:
Initial Public Release
Added fpBGA package
Fixed typo on page 10
Changed drawing format
Page 2 Changed package body dimensions
6/15/99:
8/4/99:
Page 5
Page 6
Deleted note 6 for Table II
Improved power numbers
10/4/99:
10/19/99:
11/12/99:
4/10/00:
Upgraded speed to 133MHz, added 2.5V I/O capability
Page 4 Corrected I/O numbers in Truth Table I
Replaced IDT logo
Added new BGA package, added full 2.5V interface capability
1/12/01:
Page 6
Updated Truth Table II
Increated storage temperature parameter
Clarified T A Parameter
Page 8 DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Removed note 7 on DC Electrical Characteristics table
Removed Preliminary status
16
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3599S133DRI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| IDT70V37L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V38L15PFG | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V525ML55BZI | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| IDT70V5388S166BGI | IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3579S6BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3579S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3579S6BCI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BCI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。