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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI |
HIGH-SPEED
8K x 16 TriPort
STATIC RAM
IDT70P5258ML
IDT70P525ML
IDT70V525ML
High-speed access
Features
◆
– Industrial: 55ns (max.)
◆
TriPort architecture allows simultaneous access to the
memory from all three ports
◆
Low-power operation
– IDT70P5258ML and IDT70P525ML
Active: 54mW (typ.)
Standby: 7.2 μ W (typ.)
– IDT70V525ML
Active: 450mW (typ.)
Standby: 250 μ W (typ.)
◆
◆
◆
◆
◆
Fully asynchronous operation from each of the three
ports: P1, P2, and P3
IDT70P5258 supports 3.0V and 1.8V I/O's
Available in 144-ball 0.5mm-pitch fp BGA
Industrial temperature range (–40°C to +85°C)
Greeen parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
PORT 2
Address
Decode
A 0P2 - A 11P2
BE 0P1, BE 1P1
R/ W P1
OE P1
I/O 0P1 -I/O 15P1
PORT 1
I/O
Control
Memory
Array
PORT 2
I/O
Control
PORT 3
I/O
CE P2
R/ W P2
OE P2
I/O 0P2 -I/O 15P2
CE P3
R/ W P3
OE P3
Control
A 0P1 - A 11P1
BE 0P1, BE 1P1
PORT 1
Address
Decode
PORT 3
Address
Decode
I/O 0P3 -I/O 15P3
A 0P3 - A 11P3
BE 0P1, BE 1P1
R/ W P1
OE P1
INT P1 - P2
INT P1 - P3
Interrupt
Control
CE P2, CE P3
R/ W P2, R/ W P3
INT P3 - P1
INT P2 - P1
OE P2, OE P3
,
5681 drw 01
JANUARY 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5681/5
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PDF描述 |
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