参数资料
型号: IDT70V525ML55BZI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 11/14页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA
标准包装: 90
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 三端口,异步
存储容量: 128K(8K x 16)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 2.7 V ~ 3.3 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 144-LFBGA
供应商设备封装: 144-CABGA(7x7)
包装: 托盘
其它名称: 70V525ML55BZI
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Preliminary
Industrial Temperature Range
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70X525X
Ind'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
45
45
ns
ns
ns
ns
5681 tbl 12
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
ADDR "A"
(2)
INTERRUPT SET ADDRESS
CE "A" or BE x“A”
R/ W "A"
INT "B"
t AS (3)
t INS
(3)
t RC
t WR (4)
5681 drw 12
,
ADDR "B"
CE “B” or BE x “B”
t AS (3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
OE "B"
t INR (3)
INT "B"
NOTES:
1. If Port A is Port 1, Port B may be either Port 2 or Port 3. If Port A is either Port 2 or Port 3, Port B must be Port 1.
2. See Interrupt Truth Table II.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
11
6.42
5681 drw 13
,
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