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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Preliminary
Industrial Temperature Range
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,4)
70P5258
70P525
Ind'l Only
70V525
Ind'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (1)
Max.
Typ. (1)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active - CMOS
CE = V IL , Outputs Open
f = f MAX (2)
IND'L
L
30
50
150
180
mA
Level Inputs)
I SB1
Standby Current (Both Ports - CE R and CE L = V IH
CMOS Level Inputs) f = f MAX (2)
IND'L
L
.004
.016
5
10
mA
I SB2
I SB3
I SB4
Standby Current (One Port -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current (Both
Ports - CMOS Level Inputs)
Standby Current (One Port -
CE " A " = V IL and CE " B " = V IH(3) , Active Port Outputs Open
f = f MAX(2)
Both Ports CE L and CE R > V DDQ - 0.2V,
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
f = f MAX(2)
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (3)
IND'L
IND'L
IND'L
L
L
L
17
4
17
28
16
28
90
84
90
110
150
110
mA
μ A
mA
NOTES:
CMOS Level Inputs)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V, Active Port Outputs Open
f = f MAX (2)
5681 tbl 06
1. V DD = 1.8V for 70P5258 and 70P525. V DD = 3.0V for 70V525, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 15mA ( typ .)
2. At f = f MAX , address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions”.
3. For the 70P5258, if Port "A" is Port 1 then Port "B" may be either Port 2 or Port 3. If Port "A" is either Port 2 or Port 3, Port "B" must be Port 1.
4. V DD = 1.8V + 100mV for 70P525 and 70P5258. V DD = 3.0V + 300mV for 70V525.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (2)
Symbol
Device
Port
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
70P5258
All
V DD = 1.8V, V IN = 0V to V DD
____
1
I LI
70P525
All
Input Leakage Current
V DD = 1.8V, V IN = 0V to V DD
____
1
μ A
70V525
70P5258
All
All
V DD = 3.0V, V IN = 0V to V DD
CE x = BE x = V IH , V OUT = 0V to V DD
____
____
1
1
I LO
70P525
All
Output Leakage Current
CE x = BE x = V IH , V OUT = 0V to V DD
____
1
μ A
70V525
All
Port 1
CE x = BE x = V IH , V OUT = 0V to V DD
I OL = +0.1mA
____
____
1
0.2
70P5258
V OL
Port 2 & 3
Output Low Voltage
I OL = +2mA
____
0.4
V
70P525
70V525
All
All
Port 1
I OL = +0.1mA
I OL = +2mA
I OH = -0.1mA
____
____
1.4
0.2
0.4
____
70P5258
V OH
Port 2 & 3
Output High Voltage
I OH = -2mA
2.1
____
V
70P525
70V525
All
All
I OH = -0.1mA
I OH = -2mA
1.4
2.1
____
____
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
2. V DD = 1.8V + 100mV for 70P525 and 70P5258. V DD = 3.0V + 300mV for 70V525.
6.42
5681 tbl 07
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