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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
AC Test Conditions
Preliminary
Industrial Temperature Range
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V/GND to 1.8V
3ns Max.
1.5V/0.9V
Output Reference Levels
Output Load
1.5V/0.9V
Figures 1, 2 and 3
5681 tbl 08
3.0V
1.8V
DATA OUT
435 ?
3.3V
590 ?
30pF
5681 drw 05
R1
R2
1022 ?
729 ?
13500 ?
10800 ?
Figure 2. AC Output Test Load for the 70V525
5681 tbl 09
3.0V/1.8V
3.3V
R1
590 ?
DATA OUT
30pF (1)
R2
435 ?
5pF
5681 drw 04
Figure 1. AC Output Test Load for the 70P525 and 70P5258
5681 drw 06
Figure3. AC Output Test Load for the 70V525
(for t HZ , t LX , t WZ , t OW )
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Any Port (1)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
NOTE:
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
5681 drw 07
,
1. R/ W = V IH and CE (or BE X ) = V IL .
7
6.42
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