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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Description
The IDT70X525X is a high-speed 8K x 16 TriPort Static RAM designed
to be used in systems where multiple access into a common RAM is
required. This TriPort Static RAM offers increased system performance
in multiprocessor systems that have a need to communicate in real time and
also offers added benefit for high-speed systems in which multiple access
is required in the same cycle.
The IDT70X525X is also designed to be used in systems where on-
chip hardware port arbitration is not needed. This part lends itself to those
systems which cannot tolerate wait states or are designed to be able to
Preliminary
Industrial Temperature Range
simultaneously accesses the same TriPort RAM location.
The IDT70X525X provides three independent ports with separate
control, address, and I/O pins that permit independent, asynchronous
access for reads or writes to any location in memory. It is the user’s
responsibility to ensure data integrity when simultaneously accessing the
same memory location from mutiple ports. An automatic power down
feature, controlled by BE 0 and BE 1 on Port 1 and CE on Port 2 and on
Port 3, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low power
standby power mode.
The IDT70X525X is packaged in a 144-ball 0.5mm-pitch fp BGA.
externally arbitrated or withstand contention when more than one port
Pin Configurations (1,2,3)
70(P/V)525XBZ
BZ-144
12/19/03
Top View
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
I/O 7P3 I/O 6P2 I/O 4P3 I/O 3P2 I/O 1P2 OE P3 R/ W P2
NC
A 11P2
A 9P2
A 7P2
A 6P2
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
I/O 7P2 I/O 6P3 V DD(1) I/O 2P3 I/O 0P3 OE P2 CE P3
NC
A 10P3
A 8P3
A 6P3
A 5P3
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
I/O 9P2
Vss
I/O 5P2 I/O 2P2 I/O 0P2 R/ W P3 CE P2
A 11P3 A 10P2
A 8P2
A 5P2
A 4P3
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
I/O 10P3 I/O 8P2 I/O 5P3 I/O 3P3 I/O 1P3
V DD
V DD(1)
Vss
A 9P3
A 7P3
A 4P2
A 3P2
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
E10
E11
E12
I/O 11P3 I/O 11P2 I/O 8P3 I/O 4P2
V DD
Vss
Vss
Vss
A 0P3
A 3P3
A 2P3
A 2P2
F1
F2
F3
F4
F5
F6
F7
F8
F9
F10
F11
F12
I/O 12P3 I/O 12P2 I/O 9P3 V DD(1) V DD(1)
Vss
Vss
Vss
Vss
V DD
A 1P3
A 0P2
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
G9
G10
G11
G12
I/O 15P2 I/O 13P3 I/O 10P2 I/O 13P2
Vss
Vss
Vss
Vss
Vss
V DD
A 1P2
,
V DD(1)
H1
H2
H3
H4
H5
H6
H7
H8
H9
H10
H11
H12
I/O 15P3 I/O 14P3 I/O 14P2
V DD
Vss
Vss
Vss
Vss
V DD
V DD INT P3P1 INT P2P1
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
J10
J11
J12
I/O 2P1 I/O 1P1
V DD
Vss
Vss
Vss
Vss
V DD
V DD
A 0P1 INT P1P3 INT P1P2
K1
K2
K3
K4
K5
K6
K7
K8
K9
K10
K11
K12
I/O 3P1 I/O 0P1 I/O 4P1
Vss
V DD
Vss
V DD
V DD
A 10P1
A 3P1
A 2P1
A 1P1
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
I/O 6P1 I/O 5P1 I/O 8P1 I/O 10P1 I/O 12P1 I/O 14P1 OE P1 BE 0P1
NC
A 9P1
A 7P1
A 4P1
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
I/O 7P1
V DD
I/O 9P1 I/O 11P1 I/O 13P1 I/O 15P1 R/ W P1 BE 1P1
A 11P1
A 8P1
A 6P1
A 5P1
NOTES:
1. V DDQ for 70P5258.
6.42
5681 drw 02
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| IDT70V5378S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 272BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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