- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V3389S5PRFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V3389S5PRFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3389S5PRFI |
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
High-speed clock to data access
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
Full synchronous operation on both ports
Features
◆
access of the same memory location
◆
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
◆
◆
◆
additional logic
◆
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
Functional Block Diagram
UB L
LB L
R/ W L
B
W
B
W
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Green parts available, see ordering information
UB R
LB R
R/ W R
B B
W W
CE 0L
0
L
1
L
1 0
R R
CE 0R
CE 1L
OE L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
CE 1R
OE R
64K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O 0 L - I/O 1 7 L
CLK L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 17R
CLK R
A 15L
A 0L
CNTRST L
ADS L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 15R
A 0R
CNTRST R
ADS R
.
CNTEN L
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
1
CNTEN R
4832 tbl 01
JANUARY 2009
DSC 4832/12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT 5NS 208QFP |
| IDT70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP |
| IDT70V3599S133DRI | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| IDT70V37L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V38L15PFG | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S5PRFI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3389S6BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3389S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3389S6BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3389S6BF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。