参数资料
型号: IDT70V3389S5PRFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V3389S5PRFI
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 3.3V Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
12/12/01
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A 14L
A 15L
V SS
NC
IO 9L
IO 9R
V DDQL
V SS
IO 10L
IO 10R
V DDQR
V SS
IO 11L
IO 11R
IO 12L
IO 12R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
A 1L
A 0L
OPT L
NC (V SS ) (7)
IO 8L
IO 8R
NC (V SS ) (7)
V SS
V DDQL
IO 7L
IO 7R
V SS
V DDQR
IO 6L
IO 6R
IO 5L
V DD
V DD
V SS
V SS
IO 13R
IO 13L
IO 14R
IO 14L
IO 15R
IO 15L
V DDQL
V SS
IO 16R
IO 16L
V DDQR
V SS
IO 17R
IO 17L
NC
NC
A 15R
A 14R
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
70V3389PRF
PK-128 (5)
128-Pin TQFP
Top View (6)
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
IO 5R
V DD
V DD
V SS
V SS
IO 4R
IO 4L
IO 3R
IO 3L
IO 2R
IO 2L
V SS
V DDQL
IO 1R
IO 1L
V SS
V DDQR
IO 0R
IO 0L
OPT R
A 0R
A 1R
4832 drw 02a
.
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 14mm x 20mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
7. In the 70V3379 (32K x 18) and 70V3389 (64K x 18), pins 96 and 99 are NC. The upgrade devices 70V3399 (128K x 18) and 70V3319 (256K x 18) assign
these pins as V SS . Customers who plan to take advantage of the upgrade path should treat these pins as V SS on the 70V3379 and 70V3389. If no upgrade is
needed, the pins can be treated as NC.
6.42
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IDT70V3389S6BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3389S6BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3389S6BF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3389S6BF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8