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参数资料
| 型号： | IDT70V3379S5PRFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3379S5PRFI |
IDT70V3379S
High-Speed 3.3v 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
70V3379BC
BC-256 (5)
256-Pin BGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12/05/01
Top View (6)
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A 14L
A 11L
A 8L
NC
CE 1L
OE L CNTEN L
A 5L
A 2L
A 0L
NC
NC
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NC
NC
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NC
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A 12L
A 9L
UB L
CE 0L R/ W L CNTRST L
A 4L
A 1L
V DD
NC
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NC
I/O 9L
V SS
NC
A 13L
A 10L
A 7L
NC
LB L
CLK L ADS L
A 6L
A 3L
OPT L
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I/O 8L
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I/O 9R
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V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DD
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I/O 8R
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I/O 10R I/O 10L
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V DDQL
V DD
V DD
V SS
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V DD V DDQR
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I/O 7L
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I/O 11L
NC
I/O 11R V DDQL
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V SS
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V DD V DDQR I/O 6R
NC
I/O 6L
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I/O 12L V DDQR
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
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V SS
V SS
V DDQL I/O 5L
NC
NC
H1
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I/O 12R
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V DDQR V SS
V SS
V SS
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V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL
NC
NC
I/O 5R
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I/O 13L I/O 14R I/O 13R V DDQL
V SS
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V SS
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V SS
V SS
V DDQR I/O 4R I/O 3R
I/O 4L
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NC
NC
I/O 14L V DDQL
V SS
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V SS
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V DDQR
NC
NC
I/O 3L
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I/O 15L
NC
I/O 15R V DDQR V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DDQL I/O 2L
NC
I/O 2R
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I/O 16R I/O 16L
NC
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD
V DDQL I/O 1R
I/O 1L
NC
N1
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N16
NC
I/O 17R
NC
V DD
V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL
V DD
NC
I/O 0R
NC
P1
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P14
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P16
NC
I/O 17L
NC
NC
A 13R
A 10R
A 7R
NC
LB R
CLK R ADS R
A 6R
A 3R
NC
NC
I/O 0L
R1
NC
R2
NC
R3
NC
R4
NC
R5
NC
R6
A 12R
R7
A 9R
R8
UB R
R9 R10 R11
CE 0R R/ W R CNTRST R
R12
A 4R
R13
A 1R
R14
OPT R
R15
NC
R16
NC
,
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
NC
NC
NC
NC
A 14R
A 11R
A 8R
NC
CE 1R
OE R CNTEN R
A 5R
A 2R
A 0R
NC
NC
NOTES:
4833 drw 02c
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 17mm x 17mm x 1.4mm, with 1.0mm ball-pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3379S5PRFI8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S6BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S6BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S6BF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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