参数资料
型号: IDT70V3389S6BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70V3389S6BF
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
High-speed clock to data access
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
Full synchronous operation on both ports
Features
access of the same memory location
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
additional logic
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
Functional Block Diagram
UB L
LB L
R/ W L
B
W
B
W
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Green parts available, see ordering information
UB R
LB R
R/ W R
B B
W W
CE 0L
0
L
1
L
1 0
R R
CE 0R
CE 1L
OE L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
CE 1R
OE R
64K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O 0 L - I/O 1 7 L
CLK L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 17R
CLK R
A 15L
A 0L
CNTRST L
ADS L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 15R
A 0R
CNTRST R
ADS R
.
CNTEN L
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
1
CNTEN R
4832 tbl 01
JANUARY 2009
DSC 4832/12
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