参数资料
型号: IDT70V3389S6BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70V3389S6BF
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 3.3V Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2.5V
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3.0V/GND to 2.35V
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V/GND to 2.35V
3ns
1.5V/1.25V
DATA OUT
833 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V/1.25V
Figures 1, 2, and 3
770 ?
5pF*
4832 tbl 10
,
3.3V
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V/1.25
,
590 ?
10pF
DATA OUT
(Tester)
4832 drw 03
435 ?
5pF*
Figure 1. AC Output Test load.
7
6
5
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
4832 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
,
? tCD
4
(Typical, ns) 3
2
1
?
20.5
?
30
?
50
?
80
100
200
-1
Capacitance (pF)
4832 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
9
6.42
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