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参数资料
| 型号： | IDT70V3569S4BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3569S4BC8 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
An
INTERNAL (3)
ADDRESS
An (7)
An + 1
An + 2
An + 3
An + 4
t SAD t HAD
ADS
t SCN t HCN
CNTEN
t SD t HD
DATA IN
Dn
Dn + 1
Dn + 1
Dn + 2
Dn + 3
Dn + 4
WRITE
EXTERNAL
ADDRESS
WRITE WRITE
WITH COUNTER COUNTER HOLD
WRITE WITH COUNTER
4831 drw 12
Timing Waveform of Counter Reset (2)
t CYC2
t CH2
t CL2
CLK
t SA t HA
(4)
ADDRESS
An
An + 1
An + 2
INTERNAL (3)
ADDRESS
Ax
0
1
An
An + 1
t SW t HW
R/ W
ADS
CNTEN
t SRST t HRST
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTRST
DATA IN
(5)
t SD
t HD
D 0
DATA OUT
Q 0
Q 1
Qn
COUNTER
RESET
(6)
WRITE
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 1
READ
ADDRESS n
READ
ADDRESS n+1
NOTES:
1. CE 0 , BE n , and R/ W = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
4831 drw 13
2. CE 0 , BE n = V IL ; CE 1 = V IH .
3. The "Internal Address" is equal to the "External Address" when ADS = V IL and equals the counter output when ADS = V IH .
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference
use only.
5. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
6. No dead cycle exists during counter reset. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter reset cycle: A DDR 0 will be accessed. Extra cycles
are shown here simply for clarification.
7. CNTEN = V IL advances Internal Address from ‘An’ to ‘An +1’. The transition shown indicates the time required for the counter to advance. The ‘An +1’Address is
written to during this cycle.
14
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3379S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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