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参数资料
| 型号： | IDT70V3569S4BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3569S4BC8 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
NOTES:
4831 tbl 07
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V3569S
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
Min.
___
___
Max.
10
10
Unit
μA
μA
V OL (3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (3.3V)
V OL (2.5V)
Output High Voltage (2)
Output Low Voltage (2)
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
2.4
___
___
0.4
V
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTE:
1. At V DD < - 2.0V input leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.4 for details.
7
6.42
4831 tbl 08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3379S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| IDT70V3379S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V3569S4BFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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