参数资料
型号: IDT70V3569S4BC8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 576K(16K x 36)
速度: 4ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V3569S4BC8
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
Power
99
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BF
DR
BC
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
208-pin fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-pin BGA (BC-256)
4
5
6
S
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial Only
Standard Power
Speed in nanoseconds
70V3569 576Kbit (16K x 36-Bit) 3.3V Synchronous Dual-Port RAM
4831 drw 15
NOTES:
1. Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
1/8/99:
3/12/99:
4/28/99:
6/8/99:
Initial Public Release
Added fpBGA package
Fixed typo on page 10
Changed drawing format
Page 2 Changed package body dimensions
Page 3 Fixed typo
6/15/99:
8/4/99:
Page 5
Page 2
Deleted note 6 for Table II
Fixed typographical error
Page 6 Improved power number
10/14/99:
10/19/99:
11/12/99:
4/10/00:
Upgraded speed to 133MHz, added 2.5V I/O capability
Page 4 Corrected I/O numbers in Truth Table I
Replaced IDT logo
Added new BGA packages, added full 2.5V interface capability
Continued on page 17
16
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V3379S4BF8 IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA
IDT70V3379S4BC8 IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA
IDT7008L20JI8 IC SRAM 512KBIT 20NS 84PLCC
IDT7008L15J8 IC SRAM 512KBIT 15NS 84PLCC
XC4013E-4BG225I IC FPGA I-TEMP 5V 4SPD 225-PBGA
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参数描述
IDT70V3569S4BF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BFG 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BFG8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4DR 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)