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参数资料
| 型号： | IDT70V3569S4BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3569S4BF8 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(3)
CE 1
BE (0-3)
R/ W
t SB
t SW
t SA
t HB
t HW
t HA
t SB
(5)
t HB
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
(1 Latency)
t CD2
t DC
DATA OUT
t CKLZ
(1)
Qn
Qn + 1
t OHZ
t OLZ
Qn + 2
(5)
OE
(1)
t OE
NOTES:
1. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
2. ADS = V IL , CNTEN and CNTRST = V IH .
3. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , BE n = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to
Truth Table 1.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
5. If BE n was HIGH, then the appropriate Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read (1,2)
t CYC2
4831 drw 06
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ
t CD2
Q 3
t SA
t HA
t DC
t DC
t CKLZ
t CKHZ
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
DATA OUT(B2)
NOTES:
t CD2
t CKLZ
Q 2
t CKHZ
t CD2
t CKLZ
Q 4
4831 drw 07
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70V3569 for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. BE n , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W , CNTEN , and CNTRST = V IH .
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| IDT70V3379S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
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参数描述 |
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