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参数资料
| 型号： | IDT70V3569S4BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3569S4BF8 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2.5V
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3.0V/GND to 2.35V
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V/GND to 2.35V
3ns
1.5V/1.25V
DATA OUT
833 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V/1.25V
Figures 1, 2, and 3
770 ?
5pF*
4831 tbl 10
,
3.3V
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V/1.25
,
590 ?
10pF
DATA OUT
(Tester)
4831 drw 03
435 ?
5pF*
Figure 1. AC Output Test load.
7
6
5
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
4831 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
,
? tCD
4
(Typical, ns) 3
2
1
?
20.5
?
30
?
50
?
80
100
200
,
-1
Capacitance (pF)
4831 drw 05
·
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
9
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| IDT70V3379S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| IDT70V3379S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| IDT7008L20JI8 | IC SRAM 512KBIT 20NS 84PLCC |
| IDT7008L15J8 | IC SRAM 512KBIT 15NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BFG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3569S5BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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