- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3995 > IDT70V3569S4BFG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V3569S4BFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3569S4BFG8 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
CE 1
t SC
t SB
t HC
t HB
BE n
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
(1)
t CD2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ
t CD2
DATA OUT
Qn
(4)
Qn + 4
t OHZ
OE
READ
WRITE
READ
4831 drw 10
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , BE n , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and CNTRST = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use
only.
4. This timing does not meet requirements for fastest speed grade. This waveform indicates how logically it could be done if timing so allows.
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SAD t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
4831 drw 11
NOTES:
1. CE 0 , OE , BE n = V IL ; CE 1 , R/ W , and CNTRST = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
13
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XF2L-0635-1A | CONN FPC 6POS 0.5MM PITCH SMD |
| IDT70V3569S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| IDT70V3569S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
| IDT70V3379S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| IDT70V3379S4BC8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3569S5BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5BCI | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S5BCI8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。