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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI8 |
Capacitance
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
(1)
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
Preliminary
Industrial Temperature Range
S y m b o l
C I N
C O U T
P a r a m e t e r
I n p u t
C a p a c i t a n c e
O u t p u t
C a p a c i t a n c e
P o r t
P o r t 1
P o r t 2 & 3
P o r t 1
P o r t 2 & 3
C o n d i t i o n s ( 2 )
V I N = 3 d V
V I N = 3 d V
V O U T = 3 d V
V O U T = 3 d V
M a x
1 8
9
2 0
1 1
U n i t
p F
p F
p F
p F
NOTES:
5 6 8 1 t b l 0 3
1. This parameter is determined by device characterization but is not production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and the output signals switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
G r a d e
I n d u s t r i a l
A m b i e n t T e m p e r a t u r e
- 4 0 ° C t o + 8 5 ° C
D e v i c e
7 0 P 5 2 5
7 0 P 5 2 5 8
7 0 V 5 2 5
V SS
0 V
0 V
V DD
1 . 8 V + 1 0 0 m V
3 . 0 V + 3 0 0 m V
5 6 8 1 t b l 0 4
NOTE:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
6.42
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