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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V525ML55BZI8 |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage
70X525X
Ind'l Only
Preliminary
Industrial Temperature Range
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width (3)
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
55
45
45
0
40
0
30
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
25
ns
Write Enable to Output in High-Z
t DH
t WZ
Data Hold Time
(1,2)
0
____
____
25
ns
ns
t OW
Output Active from End-of-Write
(1,2)
0
____
ns
5681 tbl 11
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
9
6.42
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