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参数资料
| 型号： | IDT70V5378S100BG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 100MHZ 272BGA |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 272-BBGA |
| 供应商设备封装： | 272-PBGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V5378S100BG |
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IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3 . 0V
GND to 3.0V
2ns
1.5V
1.5V
Figure 1
5649 tbl 12
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V
,
10pF
7
6
(Tester)
Figure 1. AC Output Test Load
*(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
5649 drw 05
? tCD
(Typical, ns)
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
? Capacitance (pF) from AC Test Load
5649 drw 07
Figure 2. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
11
6.42
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