参数资料
型号: IDT70V639S12BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 13/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2.25M(128K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70V639S12BF
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
DATA OUT (2)
SEM / UB / LB (1)
I/O
t AW
t WR
t EW
t DW
DATA IN VALID
t SOP
t ACE
t OH
VALID
R/ W
t AS
t WP
t DH
OE
t SWRD
t SOP
t AOE
Write Cycle
Read Cycle
5621 drw 10
NOTES:
1. CE = V IH or UB and LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle) (Refer to Chip Enable Truth Table). Refer also to Truth Table II for appropriate
UB / LB controls.
2. "DATA OUT VALID" represents all I/O's (I/O 0 - I/O 17 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
SIDE
SIDE
(2)
(2)
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
t SPS
MATCH
SEM "B"
5621 drw 11
.
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE L = CE R = V IH . Refer also to Truth Table II for appropriate UB / LB controls.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
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