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参数资料
| 型号： | IDT70V639S12BF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2.25M（128K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V639S12BF |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
70V639BC
BC-256 (5)
256-Pin BGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10/27/04
Top View (6)
A1
NC
B1
A2
TDI
B2
A3
NC
B3
A4
NC
B4
A5
A 14L
B5
A6
A 11L
B6
A7
A 8L
B7
A8
NC
B8
A9
CE 1L
B9
A10
OE L
B10
A11
INT L
B11
A12
A 5L
B12
A13
A 2L
B13
A14
A 0L
B14
A15
NC
B15
A16
NC
B16
NC
NC
TDO
NC
A 15L
A 12L
A 9L
UB L
CE 0L R/ W L
NC
A 4L
A 1L
NC
NC
NC
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
NC
I/O 9L
V SS
A 16L
A 13L
A 10L
A 7L
NC
LB L
SEM L BUSY L
A 6L
A 3L
OPT L
NC
I/O 8L
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
NC
I/O 9R
NC
V DD
V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DD
NC
NC
I/O 8R
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
E10
E11
E12
E13
E14
E15
E16
I/O 10R I/O 10L
NC
V DDQL
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD V DDQR
NC
I/O 7L I/O 7R
F1
F2
F3
F4
F5
F6
F7
F8
F9
F10
F11
F12
F13
F14
F15
F16
I/O 11L
NC
I/O 11R V DDQL V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD V DDQR I/O 6R
NC
I/O 6L
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
G9
G10
G11
G12
G13
G14
G15
G16
NC
NC
I/O 12L V DDQR
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL I/O 5L
NC
NC
H1
H2
H3
H4
H5
H6
H7
H8
H9
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
NC
I/O 12R
NC
V DDQR V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL
NC
NC
I/O 5R
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
J10
J11
J12
J13
J14
J15
J16
I/O 13L I/O 14R I/O 13R V DDQL
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS V DDQR I/O 4R I/O 3R
I/O 4L
K1
K2
K3
K4
K5
K6
K7
K8
K9
K10
K11
K12
K13
K14
K15
K16
NC
NC
I/O 14L V DDQL
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQR NC
NC
I/O 3L
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
L13
L14
L15
L16
I/O 15L
NC
I/O 15R V DDQR V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DDQL I/O 2L
NC
I/O 2R
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
M13
M14
M15
M16
I/O 16R I/O 16L
NC
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD
V DDQL I/O 1R
I/O 1L
NC
N1
N2
N3
N4
N5
N6
N7
N8
N9
N10
N11
N12
N13
N14
N15
N16
NC
I/O 17R
NC
V DD
V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL
V DD
NC
I/O 0R
NC
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
NC
I/O 17L TMS
A 16R
A 13R
A 10R
A 7R
NC
LB R SEM R BUSY R
A 6R
A 3R
NC
NC
I/O 0L
R1
NC
R2
NC
R3
TRST
R4
NC
R5
A 15R
R6
A 12R
R7
A 9R
R8
UB R
R9 R10
CE 0R R/ W R
R11
M/ S
R12
A 4R
R13
A 1R
R14
OPT R
R15
NC
R16
NC
,
T1
NC
T2
TCK
T3
NC
T4
NC
T5
A 14R
T6
A 11R
T7
A 8R
T8
NC
T9
CE 1R
T10
OE R
T11
INT R
T12
A 5R
T13
A 2R
T14
A 0R
T15
NC
T16
NC
5621 drw 02c
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 17mm x 17mm x 1.4mm, with 1.0mm ball-pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V639S12BFGI | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70V639S12BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12BFI | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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