参数资料
型号: IDT70V639S12BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2.25M(128K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70V639S12BF
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3,4,7) (con't.)
10/25/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A 14L
A 15L
A 16L
NC
IO 9L
IO 9R
V DDQL
V SS
IO 10L
IO 10R
V DDQR
V SS
IO 11L
IO 11R
IO 12L
IO 12R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
A 1L
A 0L
OPT L
V SS
IO 8L
IO 8R
NC
V SS
V DDQL
IO 7L
IO 7R
V SS
V DDQR
IO 6L
IO 6R
IO 5L
V DD
V DD
V SS
V SS
IO 13R
IO 13L
IO 14R
IO 14L
IO 15R
IO 15L
V DDQL
V SS
IO 16R
IO 16L
V DDQR
V SS
IO 17R
IO 17L
NC
A 16R
A 15R
A 14R
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
70V639PRF
PK-128 (5)
128-Pin TQFP
Top View (6)
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
IO 5R
V DD
V DD
V SS
V SS
IO 4R
IO 4L
IO 3R
IO 3L
IO 2R
IO 2L
V SS
V DDQL
IO 1R
IO 1L
V SS
V DDQR
IO 0R
IO 0L
OPT R
A 0R
A 1R
.
5621 drw 02a
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. Package body is approximately 14mm x 20mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
7. Due to the restricted number of pins, JTAG is not supported in the PK-128 package.
3
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