参数资料
型号: IDT70V639S12BFGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 17/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2.25M(128K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
产品目录页面: 1254 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 70V639S12BFGI
800-1397
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
CE "A"
R/ W "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
t AS (3)
(3)
t INS
(2)
t WR (4)
INT "B"
5621 drw 16
t RC
ADDR "B"
t AS
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(3)
(2)
CE "B"
OE "B"
t INR (3)
INT "B"
5621 drw 17
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
Truth Table III — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
Right Port
H
L
H
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
A 16L -A 0L
1FFFF
X
X
1FFFE
INT L
X
X
(3)
(2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 16R -A 0R
X
1FFFF
1FFFE
X
INT R
L (2)
(3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. INT L and INT R must be initialized at power-up.
17
5621 tbl 16
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