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参数资料
| 型号： | IDT70V639S12BFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2.25M（128K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1254 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 70V639S12BFGI 800-1397 |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
JTAG Timing Specifications
t JCYC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST
t JRSR
t JCD
x
5621 drw 20
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
3
Symbol
t JCYC
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t JRSR
t JCD
t JDC
t JS
t JH
Parameter
JTAG Clock Input Period
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
Min.
100
40
40
____
____
50
50
____
0
15
15
Max.
____
____
____
(1)
3 (1)
____
____
25
____
____
____
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
5621 tbl 19
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC49DREH-S13 | CONN EDGECARD 98POS .100 EXTEND |
| AMC25DRYI-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
| RBB105DHAN | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
| RBB105DHAD | CONN EDGECARD 210PS R/A .050 DIP |
| HMC50DRTN | CONN EDGECARD 100PS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12BFI | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12PRF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12PRF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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