参数资料
型号: IDT70V639S12PRF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2.25M(128K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V639S12PRF8
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH ) (2,4,5)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
t BAA
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT "B"
t DDD (3)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (SLAVE).
2. CE L = CE R = V IL .
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (slave), BUSY is an input. Then for this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (M/ S = V IL )
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
t BDA
t BDD
VALID
5621 drw 12
.
BUSY "B"
R/ W "B"
(2)
t WH
(1)
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the 'slave' version.
15
5621 drw 13
.
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