- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3972 > IDT70V639S12PRF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V639S12PRF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2.25M（128K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V639S12PRF8 |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
Type
Temperature
Range
Blank
I
G (1)
BF
PRF
BC
Commercial (0 ° C to +70 ° C)
Industrial (-40 ° C to +85 ° C)
Green
208-ball fpBGA (BF-208)
128-pin TQFP (PK-128)
256-ball BGA (BC-256)
10
12
15
S
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial & Industrial
Standard Power
Speed in nanoseconds
.
70V639 2304K (128K x 18) 3.3V Asynchronous Dual-Port RAM
5621 drw 21
NOTE:
1. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your sales office.
Datasheet Document History:
06/1/00:
08/7/00:
06/20/01:
10/25/04:
5/25/05:
07/25/08:
01/19/09:
Initial Public Offering
Pages 6,13 & 20 Inserted additional LB and UB information
Page 1 Added JTAG information for TQFP package
Page 14 Increased BUSY TIMING parameters t BDA ,t BAC ,t BDC and t BDD for all speeds
Page 21 Changed maximum value for JTAG AC Electrical Characteristics for t JCD from 20ns to 25ns
Removed Preliminary status
Added date revision for pin configurations
Page 7 Added Junction Temp to the Absolute Maximum Ratings table
Updated Capacitance table
Page 12 Updated Timing Waveform of Write Cycle No. 1, R/ W Controlled Timing
Page 1 & 23 Replaced old TM logo with new TM logo
Page 1 Added green availability to features
Page 23 Added green indicator to ordering information
Page 8 Corrected a typo in the DC Chars table
Page 23 Removed "IDT" from orderable part number
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3589S133BFI8 | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA |
| MPC8265AVVPJDC | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
| HFW24R-2STE1LF | CONN FPC/FFC 24POS 1MM R/A SMD |
| RMC60DTEF | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| IDT70V3589S133BCI8 | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V639S12PRFI | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S12PRFI8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S15BC | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S15BC8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S15BF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。