参数资料
型号: IDT70V639S12PRFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 14/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2.25M(128K x 18)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V639S12PRFI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70V639S10
Com'l Only
70V639S12
Com'l
& Ind
70V639S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
BUSY Disable to Valid Data
Write Hold After BUSY
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
t WH
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Disable Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
(3)
(5)
____
____
____
____
5
____
8
10
10
10
10
____
10
____
____
____
____
____
5
____
10
12
12
12
12
____
12
____
____
____
____
____
5
____
12
15
15
15
15
____
15
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
8
____
____
0
10
____
____
0
12
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
22
20
____
____
25
22
____
____
30
25
ns
ns
NOTES:
5621 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of the Max. spec, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
14
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V659S12DRI IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
IDT70V7319S166BCI IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70V7339S166BCI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA
IDT70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208QFP
IDT70V7599S133DRI IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V639S12PRFI8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V639S15BC 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V639S15BC8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V639S15BF 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V639S15BF8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)