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参数资料
型号： IDT70V7519S166DRI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 1/22页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208QFP
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 9M（256K x 36）
速度： 166MHz
接口： 并联
电源电压： 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 208-BFQFP
供应商设备封装： 208-PQFP（28x28）
包装： 托盘
其它名称： 70V7519S166DRI
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7519S
256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
Full synchronous operation on both ports
Features:
◆
SRAM Architecture
– 64 independent 4K x 36 banks
– 9 megabits of memory on chip
◆
◆
– Commercial: 3.4ns(200MHz)/3.6ns (166MHz)/4.2ns
(133MHz) (max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆
◆
◆
additional logic
◆
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
Functional Block Diagram
PL/ FT L
OPT L
CLK L
ADS L
CNTEN L
REPEAT L
R/ W L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
PL/ FT R
OPT R
CLK R
ADS R
CNTEN R
REPEAT R
R/ W R
CE 0L
CE 1L
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
CONTROL
LOGIC
MUX
4Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
CONTROL
LOGIC
CE 0R
CE 1R
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
OE L
MUX
OE R
I/O 0L-35L
I/O
CONTROL
MUX
I/O
CONTROL
I/O 0R-35R
4Kx36
MEMORY
ARRAY
A 11L
A 0L
ADDRESS
DECODE
(BANK 1)
MUX
ADDRESS
DECODE
A 11R
A 0R
BA 5L
BA 4L
BA 5R
BA 4R
BA 3L
BA 2L
BA 1L
BA 0L
BANK
DECODE
MUX
BANK
DECODE
BA 3R
BA 2R
BA 1R
BA 0R
4Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 19
for details.
TDI
TDO
MUX
JTAG
TMS
TCK
TRST
5618 drw 01
,
JANUARY 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5618/7
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PDF描述
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参数描述
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IDT70V7519S200BCG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256CABGA
IDT70V7519S200BCG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256CABGA
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