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参数资料
| 型号： | IDT70V658S10BF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V658S10BF |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
4869 drw 14
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
ADDRESS "N"
t APS (2)
MATCHING ADDRESS "N"
BUSY "B"
t BAA
t BDA
,
4869 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
70V659/58/57S10
Com'l Only
70V659/58/57S12
Com'l
& Ind
70V659/58/57S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
10
10
0
0
____
____
____
____
12
12
0
0
____
____
____
____
15
15
ns
ns
ns
ns
4869 tbl 15
17
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PDF描述 |
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| IDT70V658S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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