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参数资料
| 型号： | IDT70V7339S133BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V7339S133BC8 |
HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18
Features:
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S
◆
512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
SRAM Architecture
– 64 independent 8K x 18 banks
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– 9 megabits of memory on chip
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) and
256-pin Ball Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
PL/ FT L
OPT L
CLK L
ADS L
CNTEN L
REPEAT L
PL/ FT R
OPT R
CLK R
ADS R
CNTEN R
REPEAT R
R/ W L
CE 0L
CE 1L
UB L
LB L
OE L
CONTROL
LOGIC
MUX
8Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
CONTROL
LOGIC
R/ W R
CE 0R
CE 1R
UB R
LB R
OE R
MUX
I/O 0L-17L
I/O
CONTROL
MUX
I/O
CONTROL
I/O 0R-17R
8Kx18
MEMORY
ARRAY
A 12L
A 0L
ADDRESS
DECODE
(BANK 1)
MUX
ADDRESS
DECODE
A 12R
A 0R
BA 5L
BA 4L
BA 5R
BA 4R
BA 3L
BA 2L
BA 1L
BA 0L
BANK
DECODE
MUX
BANK
DECODE
BA 3R
BA 2R
BA 1R
BA 0R
8Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
MUX
,
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 18
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5628 drw 01
for details.
?2010 Integrated Device Technology, Inc.
1
APRIL 2010
DSC 5628/9
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V7339S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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