参数资料
型号: IDT70V7339S133BC8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 19/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V7339S133BC8
IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
JTAG Timing Specifications
t JCYC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST
t JRSR
t JCD
,
5628 drw 21
t JRST
Figure 5. Standard JTAG Timing
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TRST, and TCK.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
70V7339
3
Symbol
t JCYC
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t JRSR
t JCD
t JDC
t JS
t JH
Parameter
JTAG Clock Input Period
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
Min.
100
40
40
____
____
50
50
____
0
15
15
Max.
____
____
____
(1)
3 (1)
____
____
25
____
____
____
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
5628 tbl 12
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
19
6.42
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