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参数资料
| 型号： | IDT70V7599S166BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V7599S166BC8 |
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7599S
128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
Full synchronous operation on both ports
Features:
◆
SRAM Architecture
– 64 independent 2K x 36 banks
– 4 megabits of memory on chip
◆
◆
– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆
◆
◆
additional logic
◆
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
Functional Block Diagram
PL/ FT L
OPT L
CLK L
ADS L
CNTEN L
REPEAT L
R/ W L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
PL/ FT R
OPT R
CLK R
ADS R
CNTEN R
REPEAT R
R/ W R
CE 0L
CE 1L
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
CONTROL
LOGIC
MUX
2Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
CONTROL
LOGIC
CE 0R
CE 1R
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
OE L
MUX
OE R
I/O 0L-35L
I/O
CONTROL
MUX
I/O
CONTROL
I/O 0R-35R
2Kx36
MEMORY
ARRAY
A 10L
A 0L
ADDRESS
DECODE
(BANK 1)
MUX
ADDRESS
DECODE
A 10R
A 0R
BA 5L
BA 4L
BA 5R
BA 4R
BA 3L
BA 2L
BA 1L
BA 0L
BANK
DECODE
MUX
BANK
DECODE
BA 3R
BA 2R
BA 1R
BA 0R
2Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 19
for details.
TDI
TDO
MUX
JTAG
TMS
TCK
TRST
5626 drw 01
,
JANUARY 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5626/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S166BF8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA |
| IDT70V7319S166BC8 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V7599S166BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166DR | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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