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参数资料
| 型号： | IDT70V9089S12PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9089S12PF |
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (3)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
CE 1
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(4)
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA IN
t SA
t HA
t SD t HD
Dn + 2
(2)
t CD2
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
t CD2
DATA OUT
Qn
Qn + 3
READ
NOP
(5)
WRITE
READ
3750 drw 10
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (3)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
CE 1
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS (4)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
(2)
t CD2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ (1)
t CD2
DATA OUT
OE
Qn
(1)
t OHZ
Qn + 4
READ
WRITE
READ
3750 drw 11
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3. CE 0 and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
13
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT709089S12PF | IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP |
| 006207341914000+ | CONN FPC R ANGLE 1.25 MM 14POS |
| IDT709279S12PF | IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP |
| IDT70V27L35PF8 | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT70V27L25PF8 | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V9089S15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9089S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V9089S9PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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