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参数资料
| 型号： | IDT70V9189L9PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（64K x 9） |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9189L9PFI |
IDT70V9179L
High-Speed 32K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Functional Description
The IDT70V9179 provides a true synchronous Dual-Port Static RAM
interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold times on
address, data, and all critical control inputs. All internal registers are clocked
on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed internal write
pulse is independent of the LOW to HIGH transition of the clock signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to staff the
operation of the address counters for fast interleaved memory applications.
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL for one clock cycle will power down the internal
circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip enables allow
easier banking of multiple IDT70V9179's for depth expansion configura-
tions. When the Pipelined output mode is enabled, two cycles are required
with CE 0 = V IL and CE 1 = V IH to re-activate the outputs.
A 14
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Depth and Width Expansion
The IDT70V9179 features dual chip enables (refer to Truth Table I)
in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no requirements
for external logic. Figure 4 illustrates how to control the varioius chip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70V9179 can also be used in applications requiring expanded
width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated at the
discretion of the user, the external controller can be set up to drive the input
signals for the various devices as required to allow for 18-bit or wider
applications.
IDT70V9179
CE 0
IDT70V9179
CE 0
Control Inputs
CE 1
V DD
Control Inputs
CE 1
V DD
IDT70V9179
CE 1
IDT70V9179
CE 1
Control Inputs
CE 0
Control Inputs
CE 0
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
4860 drw 18_79
R/ W
OE
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70V9179
15
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V9199L7PF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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