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参数资料
| 型号： | IDT70V9189L9PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（64K x 9） |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9189L9PFI |
IDT70V9179L
High-Speed 32K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Recommended DC Operating
Conditions
Grade
Commercial
Industrial
Ambient
Temperature (2)
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
3.3V + 0.3V
3.3V + 0.3V
Symbol
V DD
V SS
V IH
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Min.
3.0
0
2.0V
Typ.
3.3
0
____
Max.
3.6
0
V CC +0.3V (2)
Unit
V
V
V
-0.3
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
4860 tbl 04
V IL
NOTES:
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
4860 tbl 05
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10 ns.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V.
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to +4.6
with Respect to
GND
Unit
V
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0MH Z )
Symbol Parameter
C IN Input Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
Max.
9
Unit
pF
C OUT
Output Capacitance
V OUT = 3dV
10
pF
T BIAS
T STG
T JN
Temperature
Under Bias
Storage
Temperature
Junction
Temperature
-55 to +125
-65 to +150
+150
o
o
o
C
C
C
(3)
4860 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
I OUT
DC Output Current
50
mA
3. C OUT also references C I/O .
4860 tbl 06
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
3. Ambient Temperature Under DC Bias. NO AC Conditions. Chip Deselected.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V9179L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V to V DD
CE = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
6.42
4860 tbl 08_79
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