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参数资料
| 型号： | IDT70V9279L6PRF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V9279L6PRF8 |
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (3)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(4)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
Dn + 2
(2)
t CD1
t CD1
t CD1
t CD1
t CKHZ
t DC
t CKLZ
DATA OUT
Qn
t DC
Qn + 1
(1)
Qn + 3
(1)
READ
NOP
(5)
WRITE
READ
3743 drw 13
,
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (3)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(4)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
(2)
t CD1
t DC
Dn + 2
Dn + 3
t OE
t CD1
t CD1
t OHZ
DATA OUT
Qn
(1)
(1)
t CKLZ
Qn + 4
t DC
OE
READ
WRITE
READ
3743 drw 14
,
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and CNTRST = V IH .
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
14
6.42
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PDF描述 |
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| IDT70V3569S4BF8 | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
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参数描述 |
|---|---|
| IDT70V9279L7PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L7PRF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L7PRFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L7PRFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7.5NS 128TQFP |
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