参数资料
型号: IDT70V9279L7PRFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 512K (32K x 16)
速度: 7ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V9279L7PRFI
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Supply Voltage Range (3,6) (V DD = 3.3V ± 0.3V)(Cont'd)
70V9279/69X12
Com'l Only
70V9279/69X15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
I SB1
Dynamic
Operating
Current (Both
Ports Active)
Standby
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
CE L = CE R = V IH
COM'L
IND
COM'L
S
L
S
L
S
150
150
____
____
40
240
205
____
____
65
130
130
____
____
30
220
185
____
____
55
mA
mA
Current (Both
L
40
50
30
35
Ports - TTL
Level Inputs)
f = f MAX (1)
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
I SB2
I SB3
I SB4
Standby
Current (One
Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby
Current (Both
Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby
Current (One
CE "A" = V IL and
CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (1)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
100
100
____
____
1.0
0.4
____
____
90
90
160
140
____
____
5
3
____
____
150
130
90
90
____
____
1.0
0.4
____
____
80
80
150
130
____
____
5
3
____
____
140
120
mA
mA
mA
Port - CMOS
V IN > V DD - 0.2V or
Level Inputs)
V IN < 0.2V, Active Port,
Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
NOTES:
3743 tbl 09b
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of V SS to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 90mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DD - 0.2V
CE X > V DD - 0.2V means CE 0X > V DD - 0.2V or CE 1X < 0.2V
'X' represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 'X' in part numbers indicate power rating (S or L).
6.42
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