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参数资料
| 型号： | IDT70V9369L12PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 288KBIT 12NS 100TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 288K（16K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9369L12PF |
IDT70V9369L
High-Speed 3.3V 16K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (3)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(4)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
Dn + 2
(2)
t CD1
t CD1
t CD1
t CD1
t DC
t CKLZ
DATA OUT
Qn
t DC
Qn + 1
t CKHZ
(1)
Qn + 3
(1)
READ
NOP
(5)
WRITE
READ
5648 drw 13
.
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (3)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(4)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
(2)
t CD1
t DC
Dn + 2
Dn + 3
t OE
t CD1
t CD1
DATA OUT
Qn
(1)
Qn + 4
t OHZ
(1)
t CKLZ
t DC
.
OE
READ
WRITE
READ
5648 drw 14
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH . "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
12
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