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参数资料
| 型号： | IDT70V9369L12PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 288KBIT 12NS 100TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 288K（16K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9369L12PF |
IDT70V9369L
High-Speed 3.3V 16K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Functional Description
The IDT70V9369 provides a true synchronous Dual-Port Static RAM
interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold times on
address, data, and all critical control inputs. All internal registers are clocked
on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed internal write
pulse is independent of the LOW to HIGH transition of the clock signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to staff the
operation of the address counters for fast interleaved memory applications.
CE 0 = V IL and CE 1 = V IH for one clock cycle will power down the
internal circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip enables
allow easier banking of multiple IDT70V9369's for depth expansion
configurations. When the Pipelined output mode is enabled, two cycles are
required with CE 0 = V IL and CE 1 = V IH to re-activate the outputs.
A 14
Depth and Width Expansion
The IDT70V9369 features dual chip enables (refer to Truth Table I)
in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no requirements
for external logic. Figure 4 illustrates how to control the varioius chip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70V9369 can also be used in applications requiring expanded
width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated at the
discretion of the user, the external controller can be set up to drive the input
signals for the various devices as required to allow for 36-bit or wider
applications.
IDT70V9369
CE 0
IDT70V9369
CE 0
Control Inputs
CE 1
V DD
Control Inputs
CE 1
V DD
IDT70V9369
CE 1
IDT70V9369
CE 1
Control Inputs
CE 0
Control Inputs
CE 0
CNTRST
CLK
ADS
5648 drw 19
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70V9369
15
6.42
CNTEN
R/ W
LB , UB
OE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC44DRYN-S13 | CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND |
| IDT71T75902S85BG | IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA |
| FMC44DRYH-S13 | CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND |
| 046232114015800 | CONN FFC/FPC 14POS 1MM VERT SMD |
| 046232114015800+ | CONN FFC/FPC 14POS 1MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V9369L6PF8 | 功能描述:IC SRAM 288KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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