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参数资料
| 型号： | IDT71016S20YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| 标准包装： | 16 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 44-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71016S20YGI |
IDT71016, CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Value
Unit
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
V TERM (2)
Terminal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to +7.0
V
Grade
Commercial
Temperature
0°C to +70°C
GND
0V
V CC
5.0V ± 10%
T BIAS
Temperature
-55 to +125
o
C
Industrial
–40°C to +85°C
0V
5.0V ± 10%
Under Bias
3210 tbl 04
T STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
Recommended DC Operating
Conditions
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
1.25
50
W
mA
Symbol
V CC
Parameter
Supply Voltage
Min.
4.5
Typ.
5.0
Max.
5.5
Unit
V
3210 tbl 03
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
GND
V IH
V IL
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
0
2.2
-0.5 (1)
0
____
____
0
V DD +0.5
0.8
V
V
V
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect reliability.
NOTE:
1. V IL (min.) = –1.5V for pulse width less than tRC/2, once per cycle.
3210 tbl 05
2. V TERM must not exceed V CC + 0.5V.
Capacitance
(T A = +25° C, f = 1.0MHz, SOJ/TSOP Package)
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
6
7
Unit
pF
pF
NOTE:
3210 tbl 06
DC Electrical Characteristics
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
(V CC = 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Range)
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS = V IH , V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
I OH = -4mA, V CC = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3210 tbl 07
DC Electrical Characteristics (1)
(V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC –0.2V)
71016S12
71016S15
71016S20
Symbol
I CC
I SB
I SB1
Parameter
Dynamic Operating Current
CS < V IL , Outputs Open, V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS > V IH , Outputs Open, V CC = Max., F = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS > V HC , Outputs Open, V CC = Max., f = 0 (2)
Com'l.
210
60
10
Com'l.
180
50
10
Ind.
180
50
10
Com'l.
170
45
10
Ind.
170
45
10
Unit
mA
mA
mA
V IN < V LC or V IN > V HC
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ); f = 0 means no address input lines are changing .
3
6.42
3210 tbl 08
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