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参数资料
| 型号： | IDT71016S20YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| 标准包装： | 16 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 44-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71016S20YGI |
IDT71016, CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
See Figure 1, 2 and 3
3210 tbl 09
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Test Loads
5V
5V
DATA OUT
480 ?
DATA OUT
480 ?
30pF*
255 ?
5pF*
255 ?
3210 drw 03
,
3210 drw 04
,
*Including jig and scope capacitance.
Figure 1. AC Test Load
7
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
?
? t AA, t ACS
6
(Typical, ns) 5
4
3
2
?
?
?
1
?
?
?
,
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Output Capacitive Derating
6.42
3210 drw 05
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