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参数资料
| 型号： | IDT71256L25YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 270 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71256L25YI |
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Pin Configurations
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
Truth Table (1)
WE
CS
OE
I/O
Function
A 14
A 12
A 7
A 6
A 5
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
V CC
WE
A 13
A 8
A 9
X
X
H
H
V HC
L
X
X
H
High-Z
High-Z
High-Z
Standby (I SB )
Standby (I SB1 )
Output Disabled
A 4
A 3
A 2
6
7
8
D28-3
D28-1
SO28-5
23
22
21
A 11
OE
A 10
H
L
L
L
L
X
D OUT
D IN
Read Data
Write Data
A 1
A 0
I/O 0
I/O 1
I/O 2
GND
9
10
11
12
13
14
20
19
18
17
16
15
CS
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
NOTE:
1. H = V IH , L = V IL , X = Don't care.
2946 tbl 02
2946 drw 02
Absolute Maximum Ratings (1)
DIP/SOJ
Top View
Symbol
V TERM
Rating
Terminal Voltage
with Respect
to GND
Com'l. Ind. Mil.
-0.5 to +7.0 -0.5 to +7.0 -0.5 to +7.0
Unit
V
Pin Descriptions
T A
Operating
Temperature
0 to +70
-40 to +85
-55 to +125
o
C
Name
A 0 - A 14
I/O 0 - I/O 7
Description
Address Inputs
Data Input/Output
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
Temperature
-55 to +125 -55 to +125 -65 to +135
-55 to +125 -55 to +125 -65 to +150
o
o
C
C
CS
WE
Chip Select
Write Enable
P T
I OUT
Power
Dissipation
DC Output Current
1.0
50
1.0
50
1.0
50
W
mA
OE
Output Enable
NOTE:
2946 tbl 03
GND
Ground
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
V CC
Power
2946 tbl 01
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Capacitance (T A = +25°C, f = 1.0MHz)
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 0V
V OUT = 0V
Max.
11
11
Unit
pF
pF
NOTE:
2946 tbl 04
1. This parameter is determined by device characterization, but is not production
tested.
2
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参数描述 |
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