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参数资料
| 型号： | IDT71256L25YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 270 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71256L25YI |
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
Recommended DC Operating
Conditions
0 C to +70 C
Grade
Military
Industrial
Commercial
Temperature
-55 O C to +125 O C
-40 O C to +85 O C
O O
GND
0V
0V
0V
Vcc
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
Symbol
V CC
GND
V IH
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Min.
4.5
0
2.2
Typ.
5.0
0
____
Max.
5.5
0
6.0
Unit
V
V
V
2946 tbl 05
V IL
Input Low Voltage
-0.5 (1)
____
0.8
V
NOTE:
2946 tbl 06
1. V IL (min.) = –3.0V for pulse width less than 20ns, once per cycle.
DC Electrical Characteristics (1,2) (V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
7 1 2 5 6 S / L 2 0
7 1 2 5 6 S / L 2 5
7 1 2 5 6 S / L 3 5
7 1 2 5 6 S / L 4 5
S y m b o l
P a r a m e t e r
P o w e r
C o m ' l .
& I n d
C o m ' l
& I n d
M i l .
C o m ' l .
& I n d
M i l .
M i l .
U n i t
I C C
I S B
I S B 1
D y n a m i c O p e r a t i n g C u r r e n t
C S < V I L , O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f M A X ( 2 )
S t a n d b y P o w e r S u p p l y C u r r e n t
( T T L L e v e l ) , C S > V I H , V C C = M a x . ,
O u t p u t s O p e n , f = f M A X ( 2 )
F u l l S t a n d b y P o w e r S u p p l y C u r r e n t
( C M O S L e v e l ) , C S > V H C ,
V C C = M a x . , f = 0
S
L
S
L
S
L
_ _ _ _
1 3 5
_ _ _ _
3
_ _ _ _
0 . 6
_ _ _ _
1 2 5
_ _ _ _
3
_ _ _ _
0 . 6
1 5 0
1 3 0
2 0
3
2 0
1 . 5
_ _ _ _
1 1 5
_ _ _ _
3
_ _ _ _
0 . 6
1 4 0
1 2 0
2 0
3
2 0
1 . 5
1 3 5
1 1 5
2 0
3
2 0
1 . 5
m A
m A
m A
2 9 4 6 t b l 0 7
7 1 2 5 6 S / L 5 5
7 1 2 5 6 S / L 7 0
7 1 2 5 6 S / L 8 5
7 1 2 5 6 S / L 1 0 0
S y m b o l
I C C
I S B
I S B 1
P a r a m e t e r
D y n a m i c O p e r a t i n g C u r r e n t
C S < V I L , O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f M A X ( 2 )
S t a n d b y P o w e r S u p p l y C u r r e n t
( T T L L e v e l ) , C S > V I H , V C C = M a x . ,
O u t p u t s O p e n , f = f M A X ( 2 )
F u l l S t a n d b y P o w e r S u p p l y C u r r e n t
( C M O S L e v e l ) , C S > V H C ,
V C C = M a x . , f = 0
P o w e r
S
L
S
L
S
L
M i l .
1 3 5
1 1 5
2 0
3
2 0
1 . 5
M i l .
1 3 5
1 1 5
2 0
3
2 0
1 . 5
M i l .
1 3 5
1 1 5
2 0
3
2 0
1 . 5
M i l .
1 3 5
1 1 5
2 0
3
2 0
1 . 5
U n i t
m A
m A
m A
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC , all address inputs are cycling at f MAX ; f = 0 means no address pins are cycling.
3
6.42
2 9 4 6 t b l 0 8
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| IDT71256L35Y/2996 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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